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間歇接觸(ic-)用于SECM和ac-SECM測(cè)量的優(yōu)勢(shì):腐蝕中的兩個(gè)例子
  • 發(fā)布時(shí)間 : 2020-10-21 16:52:20
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1.簡(jiǎn)介
M470是市場(chǎng)上唯一具有間歇接觸掃描電化學(xué)顯微鏡(ic-SECM)功能的掃描電化學(xué)顯微鏡。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)是與Warwick大學(xué)合作的[1-2],可以在SECM或者ac-SECM測(cè)試期間追蹤樣品形貌,從而移除形貌對(duì)探針尖端測(cè)得的電化學(xué)相應(yīng)的影響。閱讀Bio-Logic網(wǎng)站的教程或者介紹視頻,了解更多此項(xiàng)技術(shù)的信息。
本文采用ic-SECM技術(shù),獲得幾組理想的結(jié)果,證明與恒定高度的SECM對(duì)比,ic-SECM具有非常大的優(yōu)勢(shì)。
2.原理
為了您更好的理解本文內(nèi)容,強(qiáng)烈建議您先閱讀一下ic-SECM的教程和相關(guān)資料。下面對(duì)該技術(shù)做簡(jiǎn)要介紹。
ic-SECM與AFM的輕敲模式相似,探針實(shí)際上間斷的接觸樣品。ic-SECM與切力SECM相似,用機(jī)械方法記錄、跟蹤樣品表面形貌。這種機(jī)械方法可以確保形貌測(cè)量不受任何電化學(xué)響應(yīng)變化的影響。
2.1安裝介紹

SECM探針是一個(gè)圓盤(pán)超微電極(UME),由固定器牢牢固定,如圖1所示。


圖1 ic-SECM安裝
固定器連接壓電驅(qū)動(dòng)器(該壓電驅(qū)動(dòng)器也用于SVP和SKP實(shí)驗(yàn))。壓電驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)探針通常在低頻(100-600 Hz)和小振幅(100 nm-4 ?m)振動(dòng)。壓電驅(qū)動(dòng)模塊(圖1)有兩條連接線(xiàn),一條用于輸入交流信號(hào),驅(qū)動(dòng)壓電裝置,另一條用于通過(guò)應(yīng)力測(cè)量傳感器測(cè)量振動(dòng)振幅。
2.2 如何實(shí)現(xiàn)間歇接觸?
ic-SECM中,探針一直振動(dòng),其振動(dòng)振幅也一直被監(jiān)測(cè)。我們定義探針在振幅ΔZf下振動(dòng),當(dāng)探針靠近樣品時(shí),振動(dòng)受抑制,振幅減小到一個(gè)確定的用戶(hù)定義的值ΔZset。一個(gè)PID(Proportional Integral Derivative)回路不斷的通過(guò)應(yīng)力測(cè)量?jī)x,調(diào)節(jié)探針高度,維持振動(dòng)值為ΔZset。如果探針掃描到一個(gè)變化形貌的樣品,PID回路將控制Z掃描頭,改變探針高度,保證測(cè)量的振幅一直是設(shè)定值ΔZset。這就保證在SECM測(cè)量中:1)形貌對(duì)電化學(xué)響應(yīng)沒(méi)有影響;2)電化學(xué)響應(yīng)中確保最高動(dòng)力學(xué),因?yàn)殚g歇接觸中探針盡可能接近樣品。
3.操作
3.1 交流描述

第一步,描述壓電的交流響應(yīng),當(dāng)連接電纜后,探針安裝在固定器上,浸入溶液。交流描述的目的是找到壓電+探針固定器+探針+電纜集合的諧振頻率。圖2是典型的交流響應(yīng)。

圖2 包含壓電+探針固定器+探針在溶液中+電解池電纜連接探針系統(tǒng)的典型交流特征
可以看到兩個(gè)諧振頻率,一個(gè)在450 Hz,一個(gè)更強(qiáng)烈的峰在535 Hz。建議不用強(qiáng)烈峰處的頻率,因?yàn)檎麄€(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,探針移動(dòng),諧振頻率會(huì)發(fā)生較小的移動(dòng)。如果選擇太強(qiáng)烈的峰,那么諧振頻率會(huì)丟失,因?yàn)檎^(guò)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中振動(dòng)頻率不變。如果選擇小諧振但更緩的峰,那么諧振丟失不會(huì)那么急劇,但是敏感性降低。也建議用一個(gè)比峰值小幾Hz的頻率,比如,我們可以選445 Hz。
3.2 自動(dòng)逼近
ic-SECM的一個(gè)主要特征是不需要像SECM和ac-SECM一樣手動(dòng)進(jìn)行逼近曲線(xiàn)測(cè)試。系統(tǒng)通過(guò)測(cè)量振幅的衰減,檢測(cè)表面,直到衰減到原始振幅的某個(gè)特定百分比。并且在整個(gè)x、y方向上的掃描過(guò)程中一直保持這個(gè)值。
用戶(hù)可以通過(guò)圖3所示的ic-SECM面掃描實(shí)驗(yàn)參數(shù)設(shè)置窗口設(shè)置ic-PID的參數(shù)。ic-PID可以設(shè)置ac表征后用到的頻率、振幅ΔZf和控制點(diǎn)(確定的振幅百分比)定義ΔZset。其他參數(shù)的更多細(xì)節(jié)參見(jiàn)用戶(hù)手冊(cè)。
點(diǎn)擊“Approach Surface”將開(kāi)始逼近。如果沒(méi)有點(diǎn)擊“Approach Surface”就開(kāi)始實(shí)驗(yàn),當(dāng)實(shí)驗(yàn)開(kāi)始時(shí),也會(huì)自動(dòng)做逼近。

圖3 ic-PID實(shí)驗(yàn)參數(shù)設(shè)置窗口
4.結(jié)果
4.4焊接鋼
樣品取自一款大眾商用越野車(chē)的前懸臂,如圖4所示。電解液為0.1 mol/L的NaOH。在這種環(huán)境中,樣品發(fā)生腐蝕,產(chǎn)生Fe2+。探針極化電位0.6V vs. Ag/AgCl,將Fe2+氧化為Fe3+。
掃描面積4.5mm*4.5mm,步長(zhǎng)45?m。每條掃描線(xiàn)之間延遲0.5s。選擇step Scan Mode,速率45?m/s,探針直徑25?m。
SECM要求探針接近樣品表面,在探針上發(fā)生的反應(yīng)會(huì)受到影響。常規(guī)的SECM幾乎不可能掃描太大區(qū)域,因?yàn)闃悠返膬A斜不可能小到避免探針碰撞。采用ic-SECM,探針隨著樣品形貌移動(dòng),很容易掃描較大的區(qū)域,如圖5所示。

圖4 焊接鋼樣品圖片。焊接區(qū)域的寬度為6.4mm。白色方框區(qū)域?yàn)榉治鰠^(qū)。

圖5 0.1mol/L NaOH溶液中開(kāi)路電位下的焊接鋼樣品的ic-SECM測(cè)試,極化電位0.6V vs. Ag/AgCl

掃描從左下角到右上角。隨著掃描的進(jìn)行,活性降低,很可能是因?yàn)闃悠繁砻嫔梢粚逾g化銹層Fe(OH)3。在掃描初期兩個(gè)焊接樣品以及兩個(gè)焊接件的中部的絕緣位置是可見(jiàn)的。
電化學(xué)活性測(cè)量的同時(shí),也測(cè)量了表面形貌,如圖6所示。顯示的數(shù)值是探針高度,因此紅色區(qū)域高于藍(lán)色區(qū)域。表面形貌變化約40?m。同樣也可以看到兩個(gè)焊接件和絕緣部分。

圖6 ic-SECM獲得的表面形貌

4.2 7075鋁合金
本實(shí)驗(yàn)研究了帶劃痕的7075鋁合金。該案例不是為了表現(xiàn)ic-SECM的測(cè)試較大傾斜樣品的能力,而是展現(xiàn)其在SECM測(cè)試中測(cè)試樣品表面粗糙度。
圖7為所研究樣品,白色方框?yàn)闇y(cè)試區(qū)域并在圖中右下角放大。掃描面積為1mm*1mm。溶液為0.1mol/L KCl。進(jìn)行ac-SECM測(cè)試。探針直徑15?m。在開(kāi)路電位附近進(jìn)行振幅10mV的正弦波,頻率10kHz。ac-SECM在沒(méi)有劃痕區(qū)域的逼近曲線(xiàn)步長(zhǎng)10?m。ac逼近曲線(xiàn)是典型的絕緣材料,沒(méi)有劃痕的鋁合金表面覆蓋非常穩(wěn)定的氧化鋁和鋁的氫氧化物的薄層(如圖8)。

圖7 ic-SECM實(shí)驗(yàn)后的帶劃痕7075樣品。白色方框區(qū)域?yàn)榉治鰠^(qū),有劃痕。
ac-SECM允許用戶(hù)不使用氧化還原介質(zhì)進(jìn)行SECM測(cè)試,研究表面局部電導(dǎo)率。請(qǐng)參見(jiàn)Bio-Logic網(wǎng)站的教程,獲得更多信息。盡管如此,ac-SECM也存在與SECM一樣的缺點(diǎn),都會(huì)受表面形貌的影響。采用ic-SECM可以避免此缺陷,如圖9所示。

8 沒(méi)有劃痕的7075樣品表面的ac逼近曲線(xiàn),典型的絕緣體響應(yīng)

9a)是圖7中方框區(qū)域的ac-SECM面掃描結(jié)果。3D圖由MIRA軟件制作。獲得更多MIRA信息,請(qǐng)參見(jiàn)Bio-Logic網(wǎng)站的應(yīng)用手冊(cè)。



9 7075帶劃痕樣品在0.1mol/L KCl溶液中的ac-SECM結(jié)果a)ac-SECM;b)ic-ac-SECM


z軸值是阻抗的實(shí)部ReZ/kOhm。用戶(hù)可以看到垂直的劃痕,但是看不到水平劃痕。探針恒高度掃描,能看到垂直劃痕的原因是樣品表面產(chǎn)生的凹槽。水平劃痕產(chǎn)生的凹槽不夠深。
圖9b)中,垂直方向和水平方向的凹槽都能看到,這種差異不是形貌產(chǎn)生的,而是基底比氧化層更導(dǎo)電。而且,ic-SECM具有更好的對(duì)比,比如其阻抗響應(yīng)區(qū)間更廣。
5.結(jié)論
本文介紹了ic-SECM在腐蝕研究領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。焊接鋼樣品實(shí)驗(yàn)中,ic-SECM的優(yōu)勢(shì)是進(jìn)行較大區(qū)域的掃描(實(shí)驗(yàn)中為20mm2),而沒(méi)發(fā)生探針與樣品的碰撞。Al樣品實(shí)驗(yàn)中,ic-SECM的優(yōu)勢(shì)是更清楚的表征樣品表面的反應(yīng)差異,而排除形貌的影響。兩個(gè)案例中,由于探針?lè)浅=咏鼧悠罚结樇舛说男盘?hào)增強(qiáng)。



參考文獻(xiàn)
[1] K. Mc Kelvey, M. A. Edwards, P. R. Unwin, Anal. Chem. 2010, 82, 6334–6337
[2] K. Mc Kelvey, M. E. Snowden, M. Perulo, P. R. Unwin, Anal. Chem. 2011, 83, 6447–6454


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