1.簡介
掃描電化學顯微鏡（SECM）可以為傳感器或者電極等提供非常有價值的信息。對傳感器的活性和傳感器表面的導電性進行高分辨率的觀察，可以推動具有更好重現(xiàn)性、更高敏感性的傳感器的發(fā)展。用SECM技術(shù)測量電化學活性的關(guān)鍵是SECM探針與樣品極為接近并在掃描過程中一直保持恒定距離，因為測量的表面電流會受形貌和電化學活性的雙重影響，得到的響應為兩者總和。
對于小面積掃描或者可以認為是平坦的傳感器，這不是問題。但是，對于那些不平坦的（比如絲網(wǎng)印刷）、無法調(diào)平的（比如易損的生物表面）或者不夠精確的（比如大面積傳感器）、有一些掩飾或者潛在追蹤的傳感器，就有必要從探針信號中移除形貌的影響，從而獲得表面真實電化學活性。
采用高度追蹤技術(shù)，可以有效排除形貌的影響，從而公正測量電化學活性。本文通過非觸式微區(qū)形貌測試系統(tǒng)（OSP）測量形貌。
2.方法
解除表面形貌的影響要求OSP和SECM定位掃描區(qū)域一致，探針高度變化與樣品表面特征一致。這就需要通過一個在兩種技術(shù)中都可見的參照物來定位。
在下面的例子中，采用M370的SECM結(jié)合高度跟蹤技術(shù)研究了兩個小的絲網(wǎng)印刷傳感器。傳感器區(qū)域由導電碳墨連接。第一個例子中圖像顯示了傳感器表面導電性，第二個例子中研究了傳感器活性在偏置條件下的變化。兩個例子中都先掃描了定位標志，這樣圖像信息就可以準確的應用到第二部分實驗中的SECM探針尖端上。

圖1（A）是鑲嵌在聚四氟乙烯中的絲網(wǎng)印刷傳感器。圖1（B）中的校準標志是用尖刀劃的，這樣OSP和SECM都能完全檢測到該形貌。找到十字中心位置后，其他的掃描就有基準了。

圖1 （A）鑲嵌在PTFE中的絲網(wǎng)印刷傳感器；（B）十字校準標志（放大200倍）

3.結(jié)果
1.1OSP測量
M470（或M370）連接OSP傳感器頭，可以檢測漫散射激光，從而測定十字特征位置的形貌。在X軸和Y軸分別重復進行OSP線掃描，每次掃描后通過螺釘調(diào)整樣品水平。經(jīng)過多次掃描，樣品十字區(qū)域調(diào)至水平，足夠進行SECM實驗。調(diào)平前后樣品十字區(qū)域的OSP面掃描結(jié)果如圖3所示。

圖2 樣品調(diào)平前（A）和調(diào)平后（B）的OSP面掃描結(jié)果

十字中心找到后，OSP探針移動到中心位置，基準設(shè)為0。移動探針到（x，y）=（0，500） ?m，再次把坐標設(shè)為0。再進行一次OSP面掃描，結(jié)果如圖3所示。此形貌用來解除后續(xù)SECM實驗中形貌的影響?？梢钥闯?，傳感器表面上，掃描區(qū)域的底部到頂部有明顯的傾斜或者約20 ?m深的凹陷。

圖3 絲網(wǎng)印刷傳感器表面的OSP結(jié)果（步長10μm）

3.1SECM定位
SECM實驗采用10μm探針，這就對探針的垂直位置的準確性提出更高的要求。如果探針到樣品的距離即使發(fā)生很小尺度的改變，探針也會檢測到正反饋或者負反饋信息，電流將產(chǎn)生明顯變化。

由圖4可見，當探針極為接近電極時（20-30 ?m），發(fā)生負反饋，電流迅速下降。當探針掃過十字區(qū)域時，凸起的十字邊緣使電流更低。圖5為十字區(qū)域的                                                        SECM面掃描結(jié)果。

圖5 圖2中十字區(qū)域的SECM面掃描結(jié)果
與之前OSP頭的操作一樣，SECM探針移到十字中心位置，基準設(shè)為0。然后把探針移動到(x, y) = (0, 500) ?m位置，將坐標再設(shè)為0。再進行一次逼近曲線，探針極為接近樣品，電流從6 nA降到2.4 nA左右。
1.1解除形貌影響的SECM測量
用圖3中的形貌數(shù)據(jù)再做一個新的SECM面掃描，保持同樣的面積尺寸和步長。測得的表面電導率如圖6所示。

圖6 用高度追蹤技術(shù)的SECM負反饋模式面掃描
圖6中傳感器表面電流保持不變，表明：1）傳感器表面電導率相對均勻；2）整個掃描過程中SECM探針與樣品表面一直保持極為接近。這說明探針按照預期來跟蹤表面信息。
在第二個生物傳感器上進行第二次SECM面掃描，加一個偏置電位，鐵氰化物在傳感器上發(fā)生還原，產(chǎn)生一個小的還原電流（-0.1 V vs. Ag/AgCl）。選擇這個電位區(qū)分傳感器表面的活化位置和惰態(tài)位置。圖7為SECM競爭模式的結(jié)果（偏置電位-0.25 V），低電流區(qū)域說明樣品處于活化態(tài)。

圖7 用高度追蹤技術(shù)的SECM競爭模式面掃描
圖7中，低電流區(qū)域（藍色）為絲網(wǎng)印刷電極的活化區(qū)域。競爭模式比負反饋模式獲得的信息對比更明顯。
1.結(jié)論
在兩個絲網(wǎng)印刷電極樣品上演示了不受形貌影響的SECM測試新方法。M470（或M370）的這個特征允許用戶測試那些用標準恒高SECM技術(shù)無法測量的樣品。
OSP與SECM技術(shù)結(jié)合，測量了形貌變化約20 ?m的絲網(wǎng)印刷碳墨傳感器樣品的0.16mm2的區(qū)域，并保持探針和樣品極為接近。測試了加電位和不加電位的樣品，表明傳感器上的活性位置。測量區(qū)域的電流在450 pA到1.8 nA之間變化。